Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor - Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, Peter (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M. R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C. A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y. K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) et al Mostra tots els 16 autors