Tin Diselenide Molecular Precursor for Solution-Processable Thermoelectric Materials
Zhang, Yu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Liu, Yu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Lim, Khak Ho (Hong Kong University of Science and Technology. Department of Chemical and Biological Engineering)
Xing, Congcong (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Li, Mengyao (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Zhang, Ting (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Tang, PengYi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Llorca, Jordi (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Química)
Ng, Ka Ming (Hong Kong University of Science and Technology. Department of Chemical and Biological Engineering)
Ibáñez, Maria (Institute of Science and Technology Austria)
Guardia, Pablo (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Prato, Mirko (Istituto Italiano di Tecnologia)
Cadavid, Doris (Universidad Nacional de Colombia. Departamento de Física)
Cabot, Andreu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)

Data:	2018
Resum:	In the present work, we detail a fast and simple solution-based method to synthesize hexagonal SnSe nanoplates (NPLs) and their use to produce crystallographically textured SnSe nanomaterials. We also demonstrate that the same strategy can be used to produce orthorhombic SnSe nanostructures and nanomaterials. NPLs are grown through a screw dislocation-driven mechanism. This mechanism typically results in pyramidal structures, but we demonstrate here that the growth from multiple dislocations results in flower-like structures. Crystallographically textured SnSe bulk nanomaterials obtained from the hot pressing of these SnSe structures display highly anisotropic charge and heat transport properties and thermoelectric (TE) figures of merit limited by relatively low electrical conductivities. To improve this parameter, SnSe NPLs are blended here with metal nanoparticles. The electrical conductivities of the blends are significantly improved with respect to bare SnSe NPLs, what translates into a three-fold increase of the TE Figure of merit, reaching unprecedented ZT values up to 0. 65.
Ajuts:	Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-327 Ministerio de Economía y Competitividad ENE2017-85087-C3 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-128
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió
Matèria:	Modulation doping ; Nanomaterial ; Reactive ink ; SnSe2 ; Thermoelectricity
Publicat a:	Angewandte Chemie (International ed. Internet), Vol. 57, Issue 52 (December 2018) , p. 17063-17068, ISSN 1521-3773

DOI: 10.1002/anie.201809847

Preprint 7 p, 1.5 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats