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Colloidal Silicon-Germanium Nanorod Heterostructures
Lu, Xiaotang (University of Texas. Texas Materials Institute)
De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Korgel, Brian A. (University of Texas. Texas Materials Institute)

Fecha: 2017
Resumen: Colloidal nanorods with axial Si and Ge heterojunction segments were produced by solution-liquid-solid (SLS) growth using Sn as a seed metal and trisilane and diphenylgermane as Si and Ge reactants. The low solubility of Si and Ge in Sn helps to generate abrupt Si-Ge heterojunction interfaces. To control the composition of the nanorods, it was also necessary to limit an undesired side reaction between the Ge reaction byproduct tetraphenylgermane and trisilane. High-resolution transmission electron microscopy reveals that the Si-Ge interfaces are epitaxial, which gives rise to a significant amount of bond strain resulting in interfacial misfit dislocations that nucleate stacking faults in the nanorods.
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1638
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Colloidal nanorods ; Diphenylgermane ; Interfacial misfit dislocations ; Liquid solids ; Reaction byproducts ; Si-Ge heterojunction ; Side reactions ; Silicon Germanium
Publicado en: Chemistry of materials, Vol. 29, Issue 22 (November 2017) , p. 9786-9792, ISSN 1520-5002

DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b03868

25 p, 779.1 KB

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 Registro creado el 2019-12-20, última modificación el 2020-02-14

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