Colloidal Silicon-Germanium Nanorod Heterostructures
Lu, Xiaotang (University of Texas. Texas Materials Institute)
De La Mata, Maria 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Korgel, Brian A. (University of Texas. Texas Materials Institute)
| Fecha: |
2017 |
| Resumen: |
Colloidal nanorods with axial Si and Ge heterojunction segments were produced by solution-liquid-solid (SLS) growth using Sn as a seed metal and trisilane and diphenylgermane as Si and Ge reactants. The low solubility of Si and Ge in Sn helps to generate abrupt Si-Ge heterojunction interfaces. To control the composition of the nanorods, it was also necessary to limit an undesired side reaction between the Ge reaction byproduct tetraphenylgermane and trisilane. High-resolution transmission electron microscopy reveals that the Si-Ge interfaces are epitaxial, which gives rise to a significant amount of bond strain resulting in interfacial misfit dislocations that nucleate stacking faults in the nanorods. |
| Ayudas: |
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295
|
| Derechos: |
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.  |
| Lengua: |
Anglès |
| Documento: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Materia: |
Colloidal nanorods ;
Diphenylgermane ;
Interfacial misfit dislocations ;
Liquid solids ;
Reaction byproducts ;
Si-Ge heterojunction ;
Side reactions ;
Silicon Germanium |
| Publicado en: |
Chemistry of materials, Vol. 29, Issue 22 (November 2017) , p. 9786-9792, ISSN 1520-5002 |
DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b03868
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ciencias >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2019-12-20, última modificación el 2024-11-17