Colloidal Silicon-Germanium Nanorod Heterostructures
Lu, Xiaotang (University of Texas. Texas Materials Institute)
De La Mata, Maria ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Korgel, Brian A. (University of Texas. Texas Materials Institute)
Data: |
2017 |
Resum: |
Colloidal nanorods with axial Si and Ge heterojunction segments were produced by solution-liquid-solid (SLS) growth using Sn as a seed metal and trisilane and diphenylgermane as Si and Ge reactants. The low solubility of Si and Ge in Sn helps to generate abrupt Si-Ge heterojunction interfaces. To control the composition of the nanorods, it was also necessary to limit an undesired side reaction between the Ge reaction byproduct tetraphenylgermane and trisilane. High-resolution transmission electron microscopy reveals that the Si-Ge interfaces are epitaxial, which gives rise to a significant amount of bond strain resulting in interfacial misfit dislocations that nucleate stacking faults in the nanorods. |
Ajuts: |
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295
|
Drets: |
Tots els drets reservats. ![](/img/licenses/InC.ico) |
Llengua: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Matèria: |
Colloidal nanorods ;
Diphenylgermane ;
Interfacial misfit dislocations ;
Liquid solids ;
Reaction byproducts ;
Si-Ge heterojunction ;
Side reactions ;
Silicon Germanium |
Publicat a: |
Chemistry of materials, Vol. 29, Issue 22 (November 2017) , p. 9786-9792, ISSN 1520-5002 |
DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b03868
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Ciències >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2019-12-20, darrera modificació el 2022-09-10