Thin film oxide-ion conducting electrolyte for near room temperature applications
Garbayo, Íñigo ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Chiabrera, Francesco Maria ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Alayo Bueno, Nerea ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Santiso, José ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Morata, Alex ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Tarancón Rubio, Albert ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Fecha: |
2019 |
Resumen: |
Stabilized bismuth vanadate thin films are presented here as superior oxide ionic conductors, for application in solid state electrochemical devices operating near room temperature. Widely studied in the 90s in bulk form due to their unbeatable ionic conduction, this family of materials was finally discarded due to poor stability above 500 °C. Here, we however unveil the possibility of using BiVCuO at reduced temperatures in thin film-based devices, where the material keeps its unmatched conduction properties and at the same time shows good stability over a wide oxygen partial pressure range. |
Ayudas: |
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-1421 European Commission 681146
|
Derechos: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. ![Creative Commons](/img/licenses/by-nc.ico) |
Lengua: |
Anglès |
Documento: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
Materia: |
Bismuth vanadates ;
Conduction properties ;
Near room temperature ;
Oxide ionic conductors ;
Oxygen partial pressure ;
Poor stability ;
Solid-state electrochemical devices ;
Thin film oxides |
Publicado en: |
Journal of materials chemistry, Vol. 7, Issue 45 (December 2019) , p. 25772-25778, ISSN 2050-7496 |
DOI: 10.1039/c9ta07632h
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ciencias >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2020-05-15, última modificación el 2022-09-10