GaAs nanoscale membranes : prospects for seamless integration of III-Vs on silicon
Raya, Andrés M. (Instituto de Micro y Nanotecnología)
Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University)
Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
Alén, Benito (Instituto de Micro y Nanotecnología)
Morgan, Nicholas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
Ramasse, Quentin (University of Leeds. School of Physics)
Fuster, David (Instituto de Micro y Nanotecnología)
Llorens, José M. (Instituto de Micro y Nanotecnología)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics)

Fecha:	2020
Resumen:	The growth of compound semiconductors on silicon has been widely sought after for decades, but reliable methods for defect-free combination of these materials have remained elusive. Recently, interconnected GaAs nanoscale membranes have been used as templates for the scalable integration of nanowire networks on III-V substrates. Here, we demonstrate how GaAs nanoscale membranes can be seamlessly integrated on silicon by controlling the density of nuclei in the initial stages of growth. We also correlate the absence or presence of defects with the existence of a single or multiple nucleation regime for the single membranes. Certain defects exhibit well-differentiated spectroscopic features that we identify with cathodoluminescence and micro-photoluminescence techniques. Overall, this work presents a new approach for the seamless integration of compound semiconductors on silicon.
Ayudas:	European Commission 654360 European Commission 722176 European Commission 823717 Ministerio de Economía y Competitividad EUIN2017-88844 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2015-64189-C3-2-R Ministerio de Economía y Competitividad BES-2013-065340 Ministerio de Economía y Competitividad RYC-2017-21995 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2017-0706 Ministerio de Economía y Competitividad CSIC13-4E-1794 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-327
Nota:	Altres ajuts: IMN acknowledge funding from the European Union FEDER, FSE. EURAMET EMPIR 17FUN06 SIQUST. SMS acknowledges funding from "Programa Internacional de Becas 'la Caixa'-Severo Ochoa". ICN2 is funded by the CERCA Programme/Generalitat de Catalunya. Part of the present work has been performed in the framework of Universitat Autònoma de Barcelona Materials Science PhD program.
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Compound semiconductors ; Micro photoluminescence ; Multiple nucleation ; Nanowire networks ; New approaches ; Reliable methods ; Seamless integration ; Spectroscopic features
Publicado en:	Nanoscale, Vol. 12, issue 2 (2020) , p. 815-824, ISSN 2040-3372

DOI: 10.1039/c9nr08453c

10 p, 3.8 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados