Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability
Ruiz Flores, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius)
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2019
Abstract:	A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. These data were the input of a device simulator, which allowed us to evaluate the effect of the workfunction fluctuations on MOSFET performance variability. We have demonstrated that in the modelling of TiN workfunction variability not only the different workfunctions of the grains but also the grain boundaries should be included.
Grants:	Ministerio de Economía y Competitividad RYC-2017-23312 Agencia Estatal de Investigación TEC2016-75151-C3-1-R Ministerio de Economía y Competitividad TEC2014-53909-REDT
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	KPFM ; Polycrystalline metal gate ; Variability ; MOSFET
Published in:	Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.5090855

Postprint 5 p, 403.8 KB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles