Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius)
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2019
Resum:	A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. These data were the input of a device simulator, which allowed us to evaluate the effect of the workfunction fluctuations on MOSFET performance variability. We have demonstrated that in the modelling of TiN workfunction variability not only the different workfunctions of the grains but also the grain boundaries should be included.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad RYC-2017-23312 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2016-75151-C3-1-R Ministerio de Economía y Competitividad TEC2014-53909-REDT
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	KPFM ; Polycrystalline metal gate ; Variability ; MOSFET
Publicat a:	Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.5090855

Postprint 5 p, 403.8 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats