Investigation on the conductive filament growth dynamics in resistive switching memory via a Universal Monte Carlo Simulator - Li, Yu (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing, Xina)) ; Zhang, Meiyun (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing, Xina)) ; Teng, Jiao (University of Science and Technology (Beijing, Xina)) ; Liu, Qi (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Lv, Hangbing (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.

Afegiu la vostra ressenya

Valoreu aquest article:
Doneu un títol a la vostra ressenya:
Escriviu la vostra ressenya:
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.