Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Measurement of mobility and lifetime of electrons and holes in a Schottky CdTe diode > Comentaris
 
 
Measurement of mobility and lifetime of electrons and holes in a Schottky CdTe diode - Ariño-Estrada, Gerard (Institut de Física d'Altes Energies) ; Chmeissani, Mokhtar (Institut de Física d'Altes Energies) ; De Lorenzo, Gianluca (Institut de Física d'Altes Energies) ; Kolstein, Machiel (Institut de Física d'Altes Energies) ; Puigdengoles, Carles (Institut de Física d'Altes Energies) ; García, J. (Institut de Física d'Altes Energies) ; Cabruja i Casas, Enric (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem