| Data: |
2022 |
| Resum: |
El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. Altres memòries no volàtils (NVMs) emergents s'han convertit en candidates per a la propera era de computació neuromòrfica. Un tipus de NVM és la unió túnel ferroelèctrica (FTJ), que té una estructura de condensador simple, que consisteix en una capa ferroelèctrica ultraprima, que permet el transport per efecte túnel, intercalada entre dos elèctrodes metàl·lics. La commutació de la polarització ferroelèctrica entre dues direccions (PDOWN i PUP) modula les propietats de la barrera a la intercara amb els elèctrodes, cosa que conseqüentment causa canvis de conductància, és a dir, dóna lloc a electroresistència (ER). A diferència d'altres tipus de memòries ferroelèctriques, la lectura de l'estat de memòria de les FTJ no pertorba el seu estat de polarització (estat de memòria). Les FTJs mostren bona retenció durant molt de temps (. |
| Resum: |
El desarrollo de la tecnología de la información se acerca a un cuello de botella crucial debido a la limitación de la arquitectura de Von-Neumann para el almacenamiento de datos y las funciones lógicas. Mientras tanto, hoy en día las memorias flash DRAM y NAND han mostrado inconvenientes como la baja retención de la información, tiempos de conmutación lentos y problemas de robustez. Otras memorias no volátiles (NVMs) emergentes se han convertido en candidatas para la próxima era de computación neuromórfica. Un tipo de NVM es la unión túnel ferroeléctrica (FTJ), que tiene una estructura de condensador simple, que consiste en una capa ferroeléctrica ultradelgada, que permite el transporte por efecto túnel, intercalada entre dos electrodos metálicos. La conmutación de la polarización ferroeléctrica entre dos direcciones (PDOWN y PUP) modula las propiedades de barrera en la intercara con los electrodos, lo que consecuentemente causa cambios de conductancia, es decir, da lugar a electrorresistencia (ER). A diferencia de otros tipos de memorias ferroeléctricas, la lectura del estado de memoria en las FTJ no perturba su estado de polarización (estado de memoria). Las FTJs muestran buena retención durante mucho tiempo (. |
| Resum: |
Informational technology development is approaching a crucial bottleneck due to the limitation of Von-Neumann architecture, for data storage and logic functions. Meanwhile, nowadays the DRAM and NAND flash memories have shown drawbacks such as data volatility, limitations of speed and endurance problem. Newly emerging non-volatile memories (NVMs) have become prominent candidates for the upcoming era of artificial intelligence and neuromorphic computing. One promising type of NVMs is the ferroelectric tunnel junction (FTJ), which has a simple capacitor structure, consisting of an ultrathin ferroelectric layer, allowing tunnel transport, sandwiched between two metallic electrodes. The switching of ferroelectric polarization between two directions (PDOWN and PUP) modulates the barrier properties at the interface with electrodes, which consequent changes of conductance, i. e. the tunnel electroresistance (ER) effect. Contrary to early ferroelectric memories, ER is pivotal because it allows data reading in FTJs without perturbing its polarization (memory) state. It is claimed that FTJs have great potential to preserve high/low resistive state (HRS and LRS) over long time (. |
| Nota: |
Universitat Autònoma de Barcelona. Programa de Doctorat en Ciència de Materials |
| Drets: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre i quan aquestes es distribueixin sota la mateixa llicència que regula l'obra original i es reconegui l'autoria.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Col·lecció: |
Programa de Doctorat en Ciència de Materials |
| Document: |
Tesi doctoral ; Text ; Versió publicada |
| Matèria: |
Ferroelèctrica ;
Ferroeléctrica ;
Ferroelectric ;
Memòries ;
Memorias ;
Memories ;
No volàtils ;
No volátiles ;
Non-volatile ;
Ciències Experimentals ;
538.9 |
visitant ::
identificació
dir.
