Device-to-Materials Pathway for Electron Traps Detection in Amorphous GeSe-Based Selectors
Slassi, Amine (CNR-NANO Istituto Nanoscienze)
Medondjio, Linda-Sheila (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Padovani, Andrea (University of Modena and Reggio Emilia)
Tavanti, Francesco (CNR-NANO Istituto Nanoscienze)
He, Xu (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Clima, Sergiu (IMEC)
Garbin, Daniele (IMEC)
Kaczer, Ben (IMEC)
Larcher, Luca (Applied Materials Italia)
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Calzolari, Arrigo (CNR-NANO Istituto Nanoscienze)

Fecha:	2023
Resumen:	The choice of the ideal material employed in selector devices is a tough task both from the theoretical and experimental side, especially due to the lack of a synergistic approach between techniques able to correlate specific material properties with device characteristics. Using a material-to-device multiscale technique, a reliable protocol for an efficient characterization of the active traps in amorphous GeSe chalcogenide is proposed. The resulting trap maps trace back the specific features of materials responsible for the measured findings, and connect them to an atomistic description of the sample. The metrological approach can be straightforwardly extended to other materials and devices, which is very beneficial for an efficient material-device codesign and the optimization of novel technologies.
Ayudas:	European Commission 953167 European Commission 814487 Agencia Estatal de Investigación PGC2018-096955-B-C43 European Commission 754558
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Publicado en:	Advanced Electronic Materials, Vol. 9, Issue 4 (April 2023) , art. 2201224, ISSN 2199-160X

DOI: 10.1002/aelm.202201224

12 p, 1.6 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados