Switching Dynamics and Improved Efficiency of Free-Standing Antiferroelectric Capacitors
Saeed, Umair (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Pesquera, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Liu, Ying (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Fina, Ignasi (Institute of Materials Science of Barcelona)
Ganguly, Saptam (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Padilla-Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Caicedo Roque, Jose Manuel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Liao, Xiaozhou (The University of Sydney)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Date:	2024
Abstract:	The switching dynamics of antiferroelectric lead zirconate (PbZrO) freestanding capacitors compared to their epitaxial counterparts is reported. Frequency dependence of hysteresis indicates that freestanding capacitors exhibit a lower dispersion of switching fields, lower residual polarization, and faster switching response as compared to epitaxially-clamped capacitors. As a consequence, freestanding capacitor membranes exhibit better energy storage density and efficiency.
Grants:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-108573GB-C21 European Commission 964931 Agencia Estatal de Investigación TED2021-130453B-C21 Agencia Estatal de Investigación PDC2023-145874-I00 Agencia Estatal de Investigación PID2023-147211OB-C21 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00804 European Commission 754510 "la Caixa" Foundation 100010434
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Subject:	Antiferroelectrics ; Freestanding membranes ; Kolmogorov-Avrami-Ishibashi model ; Rayleigh's coefficient ; Williamson-Hall plot
Published in:	Advanced Electronic Materials, Vol. 10, Núm. 10 (October 2024) , art. 2400102, ISSN 2199-160X

DOI: 10.1002/aelm.202400102

10 p, 3.3 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (research output) > Experimental sciences > Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)
Articles > Research articles
Articles > Published articles