Surface two-dimensional hole gas in Si doped β-Ga2O3 thin film
Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay)
Leach, Jacob (Kyma Technologies, Inc.)
Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay)
von Bardeleben, Jurgen (Sorbonne Université)
Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Gonçalves, Anne-Marie (Université Paris-Saclay)
Tchelidze, Tchelidze (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University)
Dumont, Yves (Université Paris-Saclay)
Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2024
Resumen:	Although two-dimensional electron gases have been realized in a number of semiconductor surfaces, examples of two-dimensional hole gases (2DHG) - the counterpart to 2DEG - are still very limited. Besides, owing to the deep energy level nature of potential dopants, achieving acceptor p-type β-GaO is a well-known challenge so far. In this work, we report what appears to be an exceptional p-type 2DHG surface on a Si-doped monoclinic (010) β-GaO crystal which otherwise is n-type in the bulk. The majority of the free carries at the surface have been determined to be holes with a sheet concentration of p ∼ 8. 7 × 10 cm and a puzzlingly high mobility value of µ ∼ 80 cm/(V·s) at room T.
Ayudas:	Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S
Nota:	Altres ajuts: CERCA Programme/Generalitat de Catalunya
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Publicado en:	Journal of alloys and compounds, Vol. 971 (January 2024) , art. 172713, ISSN 0925-8388

DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.172713

Disponible a partir de: 2026-01-31 Postprint

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados