Surface two-dimensional hole gas in Si doped β-Ga2O3 thin film
Chikoidze, Ekaterine 
(Université Paris-Saclay)
Leach, Jacob 
(Kyma Technologies, Inc.)
Chi, Zeyu 
(Université Paris-Saclay)
von Bardeleben, Jurgen 
(Sorbonne Université)
Ballesteros, Belén 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Gonçalves, Anne-Marie 
(Université Paris-Saclay)
Tchelidze, Tchelidze
(Ivane Javakhishvili Tbilisi State University)
Dumont, Yves
(Université Paris-Saclay)
Perez-Tomas, Amador
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
| Data: |
2024 |
| Resum: |
Although two-dimensional electron gases have been realized in a number of semiconductor surfaces, examples of two-dimensional hole gases (2DHG) - the counterpart to 2DEG - are still very limited. Besides, owing to the deep energy level nature of potential dopants, achieving acceptor p-type β-GaO is a well-known challenge so far. In this work, we report what appears to be an exceptional p-type 2DHG surface on a Si-doped monoclinic (010) β-GaO crystal which otherwise is n-type in the bulk. The majority of the free carries at the surface have been determined to be holes with a sheet concentration of p ∼ 8. 7 × 10 cm and a puzzlingly high mobility value of µ ∼ 80 cm/(V·s) at room T. |
| Ajuts: |
Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S
|
| Nota: |
Altres ajuts: CERCA Programme/Generalitat de Catalunya |
| Drets: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Publicat a: |
Journal of alloys and compounds, Vol. 971 (January 2024) , art. 172713, ISSN 0925-8388 |
DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.172713
Disponible a partir de: 2026-01-31
Postprint
|
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Ciències >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2025-02-20, darrera modificació el 2025-03-14