Physical Unclonable Functions based on the post-breakdown current of FDSOI Nanowire Transistors
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2025
Abstract:	Gate oxide Dielectric Breakdown (BD) in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures is a random process, which can be exploited in cryptography applications. Here, the post-BD current in Fully Depleted Silicon on Insulator (FDSOI) high-k Ω-Gate nanowire (NW) transistors is the entropy source used to implement Physical Unclonable Functions (PUFs). The PUF uniformity and uniqueness were evaluated for cryptographic keys generation. Different features that can affect the PUF reliability were analyzed in detail, such as operation temperature, power supply noise and time and cycle-to-cycle stability. The proposed PUFs are resilient to temperature and electrical stress attacks, making them highly suitable for security applications.
Grants:	Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199 Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22
Note:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Dielectric Breakdown ; PUF ; Cryptography ; FDSOI ; Nanowire transistors
Published in:	IEEE electron device letters, 2025 , ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2025.3577746

Postprint 4 p, 469.2 KB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles