Physical Unclonable Functions based on the post-breakdown current of FDSOI Nanowire Transistors
Goyal, Rishab 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
| Data: |
2025 |
| Resum: |
Gate oxide Dielectric Breakdown (BD) in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures is a random process, which can be exploited in cryptography applications. Here, the post-BD current in Fully Depleted Silicon on Insulator (FDSOI) high-k Ω-Gate nanowire (NW) transistors is the entropy source used to implement Physical Unclonable Functions (PUFs). The PUF uniformity and uniqueness were evaluated for cryptographic keys generation. Different features that can affect the PUF reliability were analyzed in detail, such as operation temperature, power supply noise and time and cycle-to-cycle stability. The proposed PUFs are resilient to temperature and electrical stress attacks, making them highly suitable for security applications. |
| Ajuts: |
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199 Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22
|
| Nota: |
Altres ajuts: acords transformatius de la UAB |
| Drets: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Matèria: |
Dielectric Breakdown ;
PUF ;
Cryptography ;
FDSOI ;
Nanowire transistors |
| Publicat a: |
IEEE electron device letters, 2025 , ISSN 1558-0563 |
DOI: 10.1109/LED.2025.3577746
El registre apareix a les col·leccions:
Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2025-07-09, darrera modificació el 2025-10-16