Resultats globals: 36 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 19 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Materials acadèmics, 15 registres trobats
Articles 19 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
2.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. IMTEK) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
3.
7 p, 481.4 KB Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410  
4.
9 p, 783.3 KB Experimental verification of memristor-based material implication NAND operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristors are being considered as promising devices for highly dense memory systems as well as the potential basis of new computational paradigms. In this scenario, and in relation with data processing, one of the more specific and differential logic functions is the material implication logic also named as IMPLY logic. [...]
2019 - 10.1109/TETC.2017.2760929
IEEE Transactions on Emerging Topics in Computing, Vol. 7, issue 4 (Oct.-Dec. 2019) , p. 545-552  
5.
5 p, 480.8 KB MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aging produced by RF stress is experimentally analyzed on a RF CMOS power amplifier (PA), as a function of the stress power level. The selected circuit topology allows observing individual NMOS and PMOS transistors degradations, as well as the aging effect on the circuit functionality. [...]
2017 - 10.1016/j.mee.2017.05.021
Microelectronic engineering, Vol. 178 (June 2017) , p. 289-292  
6.
5 p, 691.3 KB DC characterization and fast small-signal parameter extraction of organic thin film transistors with different geometries / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona - CSIC) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona - CSIC) ; Terés Terés, Lluís (Institut de Microelectrònica de Barcelona - CSIC)
Organic Devices offer low-cost manufacturing and better flexibility, sustainability and solution-processability than their Si-based MOS counterparts, which make them suitable for new applications where those characteristics are an advantage. [...]
2020 - 10.1109/LED.2020.3021236
IEEE electron device letters, Vol. 41, Issue 10 (October 2020) , p. 1512-1515  
7.
Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ; Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061  
8.
Power-efficient noise-induced reduction of reram cell's temporal variability effects / Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive Random Access Memory (ReRAM) is a promising novel memory technology for non-volatile storing, with low-power operation and ultra-high area density. However, ReRAM memories still face issues through commercialization, mainly owing to the fact that the high fabrication variations and the stochastic switching of the manufactured ReRAM devices cause high Bit Error Rate (BER). [...]
2021 - 10.1109/TCSII.2020.3026950
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 68, issue 4 (April 2021) , p. 1378-1382  
9.
Aging in CMOS RF linear power amplifiers : an experimental study / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
An extensive experimental analysis of the HCI and BTI aging effects on RF linear power amplifiers (PA) is presented in this paper. Two different 2. 45 GHz PA topologies have been implemented in a CMOS 65 nm technology, one based on a classical common-source (CS) and choke inductor, another one based on a complementary current-reuse (CR) circuit, both of them producing similar gain and output 1-dB compression point (P-1dB). [...]
2021 - 10.1109/tmtt.2020.3041282
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 69, Issue 2 (February 2021) , art. 1453  
10.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  

Articles : 19 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
2.
85 p, 1.5 MB Estudi de tecnologies a través de ressonadors acoblats per a la síntesi de filtres / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Garcia, Joan ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Aquest treball és un estudi de viabilitat sobre una tecnologia, actualment molt desenvolupada i de baix cost, per a la implementació de circuits de microones anomenada LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic), i que permet, entre altres coses, la implementació i miniaturització dels dissenys de circuits de RF i microones gràcies als processos de fabricació i als materials que empra. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2008  

Materials acadèmics 15 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
7 p, 110.4 KB Fonaments d'Electrònica [104523] / Abadal Berini, Gabriel ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'assignatura permetrà a l'estudiant adquirir els principals conceptes d'electrònica, necessaris per entendre els processos de gestió de ciutats intel·ligents des del punt de vista de les tecnologies de la informació i les comunicacions.
The subject will allow the student to acquire the main concepts in electronics, needed to understand the processes to manage smart cities, from the point of view of the information and communication technologies.
La asignatura permitirá al estudiante adquirir los principales conceptos de electrónica, necesarios para entender los procesos de gestión de ciudades inteligentes desde el punto de vista de les tecnologías de la información y les comunicaciones.

2021-22
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents
2.
4 p, 100.9 KB Circuits Electrònics de Potència [102731] / Flores Gual, David ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
ELs objectius de l'assignatura són els següents: 1. Comprendre la metodologia d'anàlisi de circuits de potència basada en la identificació del corrent en cada component a cada instant de temps. [...]
The objectives of the subject are the following: 1. Understand the methodology of power circuit analysis based on the identification of the current in each component at each instant of time. 2. Know the basic characteristics of the two modes of transport of electrical energy: AC and DC. [...]
Los objetivos de la asignatura son los siguientes: 1. Comprender la metodología de análisis de circuitos de potencia basada en la identi de la corriente en cada componente en cada instante de tiempo. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
3.
5 p, 111.6 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
The objective is to know and use the general techniques of management of engineering projects, including all the phases of the projects and the regulatory and legislative aspects related to the professional field of telecommunications, as well as computer tools oriented to the management of projects .
El objetivo es conocer y utilizar las técnicas generales de gestión de proyectos de ingeniería, incluidas todas las fases de los proyectos y los aspectos reguladores y legislativos relacionados con el ámbito profesional de las telecomunicaciones, así como herramientas informáticas orientadas a la gestión de proyectos .

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
4.
6 p, 109.1 KB Instrumentació i Sensors [104529] / Crespo Yepes, Albert ; Aguila Moliner, Pau ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
La matèria se centra en els sensors i el procés de recollida d'informació obtinguda del món físic per a ser incorporat en el domini digital. Els objectius concrets de l'assignatura són: - Conèixer les característiques i aspectes claus dels sistemes d'instrumentació convencionals. [...]
The subject focuses on sensors and the process of collecting information obtained from the physical world to be incorporated i The specific objectives of the subject are: - To know the characteristics and key aspects of conventional instrumentation systems - Understand the operation of sensors and electronic conditioning. [...]
La materia se centra en los sensores y el proceso de recogida de información obtenida del mundo físico para ser incorporado Los objetivos concretos de la asignatura son: - Conocer las características y aspectos claves de los sistemas de instrumentación co - Entender el funcionamiento de los sensores y el se acondicionamiento electrónico. [...]

2021-22
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents
5.
4 p, 100.6 KB Circuits Electrònics de Potència [102731] / Flores Gual, David ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
ELs objectius de l'assignatura són els següents: 1. Comprendre la metodologia d'anàlisi de circuits de potència basada en la identificació del corrent en cada component a cada instant de temps. [...]
Los objetivos de la asignatura son los siguientes: 1. Comprender la metodología de análisis de circuitos de potencia basada en la identi de la corriente en cada componente en cada instante de tiempo. [...]

2020-21
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
6.
6 p, 109.4 KB Instrumentació i Sensors [104529] / Crespo Yepes, Albert ; Aguilà Moliner, Pau ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
La matèria se centra en els sensors i el procés de recollida d'informació obtinguda del món físic per a ser incorporat en el domini digital.
La materia se centra en los sensores y el proceso de recolección de información obtenida del mundo físico para ser incorporado en el dominio digital.

2020-21
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents
7.
6 p, 108.9 KB Fonaments d'Electrònica [104523] / Abadal Berini, Gabriel ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'assignatura permetrà a l'estudiant adquirir els principals conceptes d'electrònica, necessaris per entendre els processos de gestió de ciutats intel·ligents des del punt de vista de les tecnologies de la informació i les comunicacions.
La asignatura permitirá al estudiante adquirir los principales conceptos de electrónica, necesarios para entender los procesos de gestión de ciudades inteligentes desde el punto de vista de les tecnologías de la información y les comunicaciones.

2020-21
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents
8.
5 p, 111.6 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
El objetivo es conocer y utilizar las técnicas generales de gestión de proyectos de ingeniería, incluidas todas las fases de los proyectos y los aspectos reguladores y legislativos relacionados con el ámbito profesional de las telecomunicaciones, así como herramientas informáticas orientadas a la gestión de proyectos .

2020-21
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
9.
5 p, 107.8 KB Instrumentació i Sensors [104529] / Crespo Yepes, Albert ; Aguilà Moliner, Pau ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
La matèria se centra en els sensors i el procés de recollida d'informació obtinguda del món físic per a ser incorporat en el domini digital.
La materia se centra en los sensores y el proceso de recolección de información obtenida del mundo físico para ser incorporado en el dominio digital.

2019-20
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents
10.
6 p, 108.6 KB Fonaments d'Electrònica [104523] / Abadal Berini, Gabriel ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'assignatura permetrà a l'estudiant adquirir els principals conceptes d'electrònica, necessaris per entendre els processos de gestió de ciutats intel·ligents des del punt de vista de les tecnologies de la informació i les comunicacions.
La asignatura permitirá al estudiante adquirir los principales conceptos de electrónica, necesarios para entender los procesos de gestión de ciudades inteligentes desde el punto de vista de les tecnologías de la información y les comunicaciones.

2019-20
Grau en Gestió de Ciutats Intel·ligents i Sostenibles [1395]
3 documents

Materials acadèmics : 15 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.