Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization
Pacheco-Sanchez, Anibal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2020
Resumen:	Straightforward contact resistance extraction methods based on electrical device characteristics are described and applied here to graphene field-effect transistors from different technologies. The methods are an educated adaptation of extraction procedures originally developed for conventional transistors by exploiting the drift-diffusion-like transport in graphene devices under certain bias conditions. In contrast to other available approaches for contact resistance extraction of graphene transistors, the practical methods used here do not require either the fabrication of dedicated test structures or internal device phenomena characterization. The methodologies are evaluated with simulation-based data and applied to fabricated devices. The extracted values are close to the ones obtained with other more intricate methodologies. Bias-dependent contact and channel resistances studies, bias-dependent high-frequency performance studies and contact engineering studies are enhanced and evaluated by the extracted contact resistance values.
Ayudas:	European Commission 785219 European Commission 881603 Agencia Estatal de Investigación RTI2018-097876-B-C21 Generalitat de Catalunya 001-P-0011702
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 172 (October 2020) , art. 107882, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2020.107882

Postprint 9 p, 359.6 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados