Google Scholar: cites
Voltage control of magnetism in Ni-Co oxide mesoporous films : impact of porosity on oxygen magneto-ionics performance
Arredondo-López, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Eiler, Konrad (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Quintana, Alberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Ma, Zheng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Liedke, Maciej Oskar (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics)
Hirschmann, Eric (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics)
Wagner, Andreas (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics)
Menéndez, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Sort, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Pellicer, Eva (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)

Data: 2026
Resum: Control of magnetism through electric-field-driven migration of ions, referred to as magneto-ionics (MI), holds promise for the development of non-volatile energy-efficient memory storage, as well as spintronic, neuromorphic and magnetoelectric devices. Here, we study the MI phenomena in 350 nm thick NiCo oxide films with varying degrees of porosity, obtained by electrodeposition of the parent Ni-Co metallic alloy on metallized Si substrate and subsequent annealing in air. Annealing at 450 °C of the film electrodeposited from a P-123-containing electrolyte with Ni and Co sulfate salts yields a Ni-Co oxide that partially retains its mesoporosity. This sample exhibits a higher MI response compared to a low-porosity (nearly dense) Ni-Co oxide film, indicating that an increased surface-to-volume ratio enhances MI. Comprehensive characterization of the mesoporous Ni-Co oxide-coated Si/Ti/Au sample reveals that annealing not only oxidizes the top ≈100 nm of the Ni-Co film but also induces silicon diffusion. MI phenomena occur via O migration out of and into the top Ni-Co oxide layer under negative and positive biasing, respectively. While the system shows some irreversibility, endurance improves significantly as cycling frequency increases, evidencing the potential of this material for voltage-tunable memory applications.
Ajuts: European Commission 101058076
Agencia Estatal de Investigación PID2024-156385OB-I00
Generalitat de Catalunya 2021/SGR-00651
Agencia Estatal de Investigación CNS2022-135230
European Commission 101054687
Nota: Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Publicat a: Nanoscale, Vol. 18, Num. 20 (May 2026) , p. 10724-10735, ISSN 2040-3372

DOI: 10.1039/d6nr00524a


12 p, 3.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2026-07-07, darrera modificació el 2026-07-13



   Favorit i Compartir