Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Qian, Mengdi
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.01 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
144 p, 4.2 MB Resistive switching in nanometric BaTiO3 ferroelectric junctions / Qian, Mengdi ; Fontcuberta, Josep, dir. ; Fina, Ignasi, dir. ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Los condensadores ferroeléctricos están formados por dos electrodos metálicos separados por una capa ferroeléctrica, y tienen un gran potencial para dispositivos lógicos y memorias. El carácter ferroeléctrico de la barrera permite la aparición de memoria multinivel con una respuesta (resistencia R) que puede venir determinada por su historia (). [...]
Ferroelectric capacitors consist of two metallic electrodes separated by a ferroelectric layer have great potential for memory and logic devices. Here, the ferroelectric character of the barrier should allow to build multilevel of memory with a response (resistance R) that can be dictated by its previous history (cycling voltage V). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Qian, M.
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem