Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Saludes-Tapia, M.
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
10 p, 6.2 MB SPICE model for complementary resistive switching devices based on anti-serially connected quasi-static memdiodes / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, Mireia Bargallo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper reports the use of the Quasi-static Memdiode Model (QMM) for simulating Complementary Resistive Switching (CRS) devices. CRS arises from the anti-serial connection of two memristors and it is used for generating low and high-resistance regions in the I-V characteristic with the aim of mitigating the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108312
Solid-state electronics, Vol. 194 (August 2022) , art. 108312  
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 2.8 MB A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
2 Saludes-Tapia, Mercedes
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem