Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Negative differential resistance
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
20 p, 736.9 KB Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Hamham, El Mokhtar (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Hexagonal boron nitride encapsulation significantly improves carrier transport in graphene. This paper investigates the benefit of implementing the encapsulation technique in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of their intrinsic radio frequency (RF) performance, adding the effect of the series resistances at the terminals. [...]
2019 - 10.1109/TED.2018.2890192
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, Issue 3 (March 2019) , p. 1567-1573  
Registre complet -
2.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025036
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem