Breakdown-induced negative charge in ultrathin SiO2 ﬁlms measured by atomic force microscopy - Resultados de la búsqueda

Buscar colecciones:

Ordenar por:	Mostrar resultados:	Formato de visualización:

Resultados globales: 1 registros encontrados en 0.09 segundos.
Artículos, Encontrados 1 registros

Artículos	Encontrados 1 registros

4 p, 378.3 KB

Breakdown-induced negative charge in ultrathin SiO2 ﬁlms measured by atomic force microscopy / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Blüm, M. C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sadewasser, S. (Hahn-Meitner-Institut (Berlin, Alemanya)) ; American Physical Society
Atomic-force-microscopy-based techniques have been used to investigate at a nanometer scale the dielectric breakdown (BD) of ultrathin (<6 nm) SiO2films of metal-oxide-semiconductordevices. The results show that BD leads to negative charge at the BD location and the amount of created charge has been estimated. [...]
2002 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1063/1.1519357
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 19 (October 2002) , p. 3615-3617

Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.