Dipòsit Digital de Documents de la UAB 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
1.
52 p, 1.2 MB Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203  

Vegeu també: autors amb noms similars
6 Li, C-Q.
28 Li, C.
2 Li, C. -Q.
62 Li, C. Q.
1 Li, C.-Q
9 Li, C.-Q.
1 Li, C.H.
24 Li, C.Q.
1 Li, C.z.
1 Li, Cai
1 Li, Canhuang
1 Li, Chang
2 Li, Changda
12 Li, Changqiao
1 Li, Chen
1 Li, Chen-zhong
11 Li, Chengzhi
11 Li, Chengzhi
1 Li, Chenzhong
5 Li, Chi Hion
1 Li, Chi-Hion
1 Li, Chi-Hion Pedro
1 Li, Chiang-shan R.
1 Li, Ching-Feng
2 Li, Chunchua
1 Li, Cong
1 Li, Cong-jun
1 Li, Constance H.
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.