Correlation between the nanoscale electrical and morphological properties of crystallized hafnium oxide-based metal oxide semiconductor structures
Iglesias Santiso, Vanessa 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Dudek, P. (Innovations for High Performance Microelectronics (Frankfurt, Alemanya))
Schroeder, T. (Innovations for High Performance Microelectronics (Frankfurt, Alemanya))
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
American Physical Society
| Fecha: |
2010 |
| Resumen: |
The relationship between electrical and structuralcharacteristics of polycrystalline HfO2films has been investigated by conductive atomic force microscopy under ultrahigh vacuum conditions. The results demonstrate that highly conductive and breakdown (BD) sites are concentrated mainly at the grain boundaries (GBs). Higher conductivity at the GBs is found to be related to their intrinsic electrical properties, while the positions of the electrical stress-induced BD sites correlate to the local thinning of the dielectric. The results indicate that variations in the local characteristics of the high-k film caused by its crystallization may have a strong impact on the electrical characteristics of high-k dielectric stacks. |
| Derechos: |
Tots els drets reservats.  |
| Lengua: |
Anglès |
| Documento: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
| Materia: |
Dielectric thin films ;
Electrical properties ;
Leakage currents ;
Crystallization ;
Electric currents ;
Grain boundaries |
| Publicado en: |
Applied physics letters, Vol. 97, Issue 26 (December 2010) , p. 262906/1-262906/3, ISSN 1077-3118 |
DOI: 10.1063/1.3533257
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ingeniería >
Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2014-02-18, última modificación el 2022-11-02
visitante ::
identificación
