MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2017
Resumen:	Aging produced by RF stress is experimentally analyzed on a RF CMOS power amplifier (PA), as a function of the stress power level. The selected circuit topology allows observing individual NMOS and PMOS transistors degradations, as well as the aging effect on the circuit functionality. A direct relation between DC MOSFETs and RF PA (gain) parameters has been observed. NMOS degradation (both in mobility and Vth) is stronger than that of the PMOS. Results suggest that transistors mobility reduction is the main cause of the RF degradation in this circuit.
Ayudas:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1/2-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Aging ; CMOS ; MOSFET degradation ; RF power amplifier ; RF stress
Publicado en:	Microelectronic engineering, Vol. 178 (June 2017) , p. 289-292, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.021

Postprint 5 p, 480.8 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados