visitant ::
identificació
|
|||||||||||||||
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier |
Data: | 2017 |
Resum: | Aging produced by RF stress is experimentally analyzed on a RF CMOS power amplifier (PA), as a function of the stress power level. The selected circuit topology allows observing individual NMOS and PMOS transistors degradations, as well as the aging effect on the circuit functionality. A direct relation between DC MOSFETs and RF PA (gain) parameters has been observed. NMOS degradation (both in mobility and Vth) is stronger than that of the PMOS. Results suggest that transistors mobility reduction is the main cause of the RF degradation in this circuit. |
Ajuts: | Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1/2-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384 |
Drets: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Llengua: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Matèria: | Aging ; CMOS ; MOSFET degradation ; RF power amplifier ; RF stress |
Publicat a: | Microelectronic engineering, Vol. 178 (June 2017) , p. 289-292, ISSN 0167-9317 |
Postprint 5 p, 480.8 KB |