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207 p, 15.8 MB |
Advances on the synthesis of MOFs at scale
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Camur, Ceren ;
Maspoch Comamala, Daniel, dir. ;
Imaz, Inhar, dir. ;
Busqué Sánchez, Félix, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament de Química
La presente tesis doctoral ha sido dedicada al desarrollo y optimización de metodologías para la síntesis de MOFs en medio acuoso, así como su conformación y el avance hacia la producción a gran escala de estos materiales. [...]
The present PhD Thesis has been dedicated to the development of basic knowledge on aqueous synthesis methodologies of MOFs and their shaping in order to make advances towards the large scale production of MOFs. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.
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2.
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334 p, 22.9 MB |
Confining Reactions in a Droplet : synthesis of MOFs, COFs and Composites using Spray-Drying
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Garzon-Tovar, Luis ;
Maspoch Comamala, Daniel, dir. ;
Imaz, Inhar, dir. ;
Busqué Sánchez, Félix, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament de Química
Una nueva era en la química de los materiales inició con el descubrimiento de las redes Metal-Orgánicas (MOFs, por sus siglas en inglés) y las redes Orgánicas-Covalentes (COFs, por sus siglas en inglés). [...]
A new age in materials chemistry started with the discovery of Metal-Organic Frameworks and Covalent-Organic frameworks. In particular, the introduction of reticular chemistry represented a revolutionary strategy that gave chemists infinite opportunities toward the design and construction of novel functional materials with exceptional properties, such as their high porosity, high structural/compositional flexibility and low densities (for COFs). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
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3.
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196 p, 6.6 MB |
Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors
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Prache, Pierre ;
Juillard, Jérôme, dir. ;
Barniol i Beumala, Núria, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.
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157 p, 7.5 MB |
Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto
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Moras Albero, Miquel ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ;
Martin Martinez, Javier, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.
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184 p, 3.5 MB |
Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications
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Maestro Izquierdo, Marcos ;
Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.
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154 p, 4.1 MB |
Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
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Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013
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