Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
Crespo Yepes, Albert ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana, ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier, ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
Imprint: |
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013 |
Description: |
1 recurs electrònic (154 p.) |
Abstract: |
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. Esto se ha hecho con el objetivo de estudiar la variabilidad y evolución del fenómeno y los parámetros que lo caracterizan tras provocar un elevado número de veces la ruptura y su reversibilidad en un mismo dispositivo. |
Note: |
Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica, 2012 |
Rights: |
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs. ![](/img/licenses/InC.ico) |
Language: |
Castellà |
Document: |
Tesi doctoral |
Subject: |
Ruptura elèctrica ;
Metall òxid semiconductors complementaris ;
Dielèctrics |
ISBN: |
9788449034558 |
Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/10803/107847
The record appears in these collections:
Research literature >
Doctoral theses
Record created 2013-12-20, last modified 2023-09-15