Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodriguez, R. dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica

Imprint:	[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013
Description:	1 recurs electrònic (154 p.)
Abstract:	Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. Esto se ha hecho con el objetivo de estudiar la variabilidad y evolución del fenómeno y los parámetros que lo caracterizan tras provocar un elevado número de veces la ruptura y su reversibilidad en un mismo dispositivo.
Note:	Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica, 2012
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Castellà
Document:	Tesi doctoral
Subject:	Ruptura elèctrica ; Metall òxid semiconductors complementaris ; Dielèctrics
ISBN:	9788449034558

Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/10803/107847

154 p, 4.1 MB

The record appears in these collections:
Research literature > Doctoral theses