|
Grup de Recerca Fiabilitat de Dispositius i Circuits
Electrònics
dirigit per Montserrat Nafría Maqueda
del Departament d'Enginyeria Electrònica
Components del grup
Montserrat Nafría Maqueda, Xavier Aymerich Humet, Rosana Rodríguez
Martínez, Marc Porti Pujal, Lídia Aguilera Martínez, Esteve
Amat Bertran, Javier Martín Martínez, Joan Boix Gallardo,
Mario Lanza Martínez, Núria Ayala
|
|
 |
La recerca del grup es centra en la fiabilitat dels dielèctrics
de porta de tecnologies nanoelectròniques. En aquestes tecnologies,
s’estan introduint materials amb alta permitivitat (high
k), per millorar les prestacions i augmentar la densitat de
integració dels circuits integrats (CI), assegurant la eficiència
energètica. Aquests dielèctrics estan afectats per diferents
mecanismes de fallada, que incideixen en la fiabilitat del
CI. L’objectiu de la recerca és l’estudi d’aquests
mecanismes a tres nivells: nanoescala (fent servir tècniques
de caracterització amb elevada resolució espaial), dispositiu
i circuit, amb l’objectiu final d’avaluar la fiabilitat
del CI durant la etapa inicial de disseny.
|
| Publicacions recents L.Aguilera, M. Porti, M. Nafría, X. Aymerich
Charge Trapping and Degradation of HfO2/SiO2 MOS Gate Stacks Observed With
Enhanced CAFM IEEE Electron Device Letters, 2006, 27 (3) 157-159
L.Aguilera, E. Amat, R. Rodríguez, M. Portti, M. Nafría, X. Aymerich
Analysis of the degradation of HfO2/SiO2 gate stacks usig nanoscale and
device level techniques. Microelectronic Engineering, 2007, 84,
1618-1621
L. Aguilera, J. Martín-Martínez, M. Porti, R. Rodríguez, M. Cambrea, F.
Crupi, M. Nafría, X. Aymerich
Comparison of stressed Poly-Si and TiN gated Hf-based NMOSFETs
characteristics, modeling and their impact on circuits performance.
Microelectronic Engineering, 2007, 84, 2113-2116 |
| |
|
