Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado

Información:
Discusión (0)
Estadísticas de uso

Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado - Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica

Comentarios (0) | Reseñas (0)

Sea el primero a escribir una reseña de este documento.

Añada su reseña

Valore este artículo:

Dé un título a su reseña:

Escriba su reseña:

Atención: todavía no ha definido su alias.
N/D, será el que se muestre como autor de este comentario

Registros similares

Depósito Digital de Documentos de la UAB :: :: :: ::
Powered by v1.1.6
Mantenido por ::

Colaboramos