Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
Crespo Yepes, Albert 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
| Publicación: |
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013 |
| Descripción: |
1 recurs electrònic (154 p.) |
| Resumen: |
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. Esto se ha hecho con el objetivo de estudiar la variabilidad y evolución del fenómeno y los parámetros que lo caracterizan tras provocar un elevado número de veces la ruptura y su reversibilidad en un mismo dispositivo. |
| Nota: |
Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica, 2012 |
| Derechos: |
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| Lengua: |
Castellà |
| Documento: |
Tesi doctoral |
| Materia: |
Ruptura elèctrica ;
Metall òxid semiconductors complementaris ;
Dielèctrics |
| ISBN: |
9788449034558 |
Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/10803/107847
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Tesis doctorales
Registro creado el 2013-12-20, última modificación el 2025-02-02
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