High frequency components of current fluctuations in semiconductor tunneling barriers
Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
American Physical Society

Fecha:	2002
Resumen:	The power spectral density of current noise in phase-coherent semiconductortunneling scenarios is studied in terms of Bohm trajectories associated to time-dependent wave packets. In particular, the influence of the particles reflected by the barrier on the noise spectrum is analyzed. An enhancement of the power spectral density of the current fluctuations is predicted for very high frequencies. The experimental measurement of this high frequency effect is discussed as a possible test of Bohm trajectories.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Semiconductors ; Tunneling ; Acoustic noise measurement ; Acoustic noise spectra ; Frequency measurement ; High frequency effects ; Noise propagation ; Spectrum analysis
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 80, Issue 21 (May 2002) , p. 4048-4050, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.1482136

4 p, 300.8 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados