Web of Science: 3 citations, Scopus: 4 citations, Google Scholar: citations
Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices
Bargalló González, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date: 2015
Abstract: In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. After data acquisition, the advanced Weighted Time Lag (WTL) method is employed to accurately identify the contribution of multiple electrically active defects in multilevel RTN signals. Finally, the internal dynamics of trapping and de-trapping processes through the defects close to the filamentary path and its dependence on voltage and time are analyzed.
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2011-27292-C02-02
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Note: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Rights: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Language: Anglès.
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Subject: Conductive filament ; HfO2 ; Ni ; Resistive random access memory ; RRAM ; Random telegraph noise ; RTN ; Variability
Published in: Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.046


Post-print
4 p, 446.5 KB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (scientific output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles

 Record created 2015-08-03, last modified 2019-01-07



   Favorit i Compartir