Web of Science: 3 citas, Scopus: 5 citas, Google Scholar: citas
Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices
Bargalló González, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2015
Resumen: In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. After data acquisition, the advanced Weighted Time Lag (WTL) method is employed to accurately identify the contribution of multiple electrically active defects in multilevel RTN signals. Finally, the internal dynamics of trapping and de-trapping processes through the defects close to the filamentary path and its dependence on voltage and time are analyzed.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2011-27292-C02-02
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Conductive filament ; HfO2 ; Ni ; Resistive random access memory ; RRAM ; Random telegraph noise ; RTN ; Variability
Publicado en: Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.046


Post-print
4 p, 446.5 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-08-03, última modificación el 2019-05-21



   Favorit i Compartir