Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2011
Resumen:	The gate dielectric breakdown (BD) reversibility in MOSFETs with ultra-thin hafnium based high-k dielectric is studied. The phenomenology is analyzed in detail and the similarities with the resistive switching phenomenon emphasized. The results suggest that the conductive path in the dielectric after BD can be 'opened' and 'closed' many times and that the BD recovery partially restores not only the current through the gate, but also the MOSFET channel related electrical characteristics.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2010-16126 Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2010-10021-E Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; Versió sotmesa a revisió
Materia:	MOSFET ; Hafnium ; High-k dielectric thin films ; Semiconductor device breakdown ; Switching circuits
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 65-66 (Nov.-Dec. 2011) , p. 157-162, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2011.06.033

Pre-print 12 p, 990.7 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos publicados