Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2015
Abstract:	Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. Moreover, for both resistance states, non-homogeneous conduction across the CF area is observed, in agreement with a tree-shaped CF.
Grants:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Note:	Altres ajuts: ERDF/TEC2011-2792-C02-02
Rights:	Tots els drets reservats.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Resistive switching ; CAFM ; Metal-insulator-semiconductor (MIS)
Published in:	Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.112

Post-print 4 p, 1.6 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (research output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles