Web of Science: 4 citations, Scopus: 6 citations, Google Scholar: citations
New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC))
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC))
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date: 2016
Abstract: Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. The standard equipment used to analyse RTN has a typical time resolution of ∼2 ms which prevents evaluating fast phenomena. In this work, a new RTN measurement procedure, which increases the measurement time resolution to 2 μs, is proposed. The experimental set-up, together with the recently proposed Weighted Time Lag (W-LT) method for the analysis of RTN signals, allows obtaining a more detailed and precise information about the RTN phenomenon.
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2011-27292-C02-02
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Note: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Rights: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Language: Anglès.
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Subject: Resistive switching ; Random telegraph noise ; Resolution ; Time constants ; RRAM
Published in: Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2015.08.010


Post-print
17 p, 1.4 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (scientific output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles

 Record created 2016-07-21, last modified 2019-01-07



   Favorit i Compartir