CMOS-NEMS Copper Switches Monolithically Integrated Using a 65 nm CMOS Technology
Muñoz Gamarra, Jose Luis (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2016
Resumen:	This work demonstrates the feasibility to obtain copper nanoelectromechanical (NEMS) relays using a commercial complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology (ST 65 nm) following an intra CMOS-MEMS approach. We report experimental demonstration of contact-mode nano-electromechanical switches obtaining low operating voltage (5. 5 V), good ION/IOFF (103) ratio, abrupt subthreshold swing (4. 3 mV/decade) and minimum dimensions (3. 50 µm x 100 nm x 180 nm, and gap of 100 nm). With these dimensions, the operable Cell area of the switch will be 3. 5 µm (length) x 0. 2 µm (100 nm width + 100 nm gap) = 0. 7 µm2 which is the smallest reported one using a top-down fabrication approach.
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	CMOS-NEMS ; NEMS ; NEMS switch ; Copper switch
Publicado en:	Micromachines, Vol. 7 Núm. 2 (February 2016) , p. 1-7, ISSN 2072-666X

DOI: 10.3390/mi7020030
PMID: 30407403

7 p, 3.6 MB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados