Web of Science: 136 cites, Scopus: 137 cites, Google Scholar: cites
Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO₂-based RRAM
Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Perniola, Luca (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC)
Cagli, Carlo (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC)
Buckley, Julien (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC)
Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pan, Feng (Tsinghua University. Laboratory of Advanced Materials)
Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina))
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2013
Resum: Resistive switching (RS) based on the formation and rupture of conductive filament (CF) is promising in novel memory and logic device applications. Understanding the physics of RS and the nature of CF is of utmost importance to control the performance, variability and reliability of resistive switching memory (RRAM). Here, the RESET switching of HfO₂-based RRAM was statistically investigated in terms of the CF conductance evolution. The RESET usually combines an abrupt conductance drop with a progressive phase ending with the complete CF rupture. RESET1 and RESET2 events, corresponding to the initial and final phase of RESET, are found to be controlled by the voltage and power in the CF, respectively. A Monte Carlo simulator based on the thermal dissolution model of unipolar RESET reproduces all of the experimental observations. The results contribute to an improved physics-based understanding on the switching mechanisms and provide additional support to the thermal dissolution model.
Ajuts: Ministerio de Ciencia y Tecnología TEC2012-32305
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Publicat a: Scientific reports, Vol. 3, (October 2013) , art. 2929, ISSN 2045-2322

DOI: 10.1038/srep02929
PMID: 24121547


8 p, 1.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2018-01-27, darrera modificació el 2023-03-15



   Favorit i Compartir