Low-Temperature Growth of Axial Si/Ge Nanowire Heterostructures Enabled by Trisilane
Hui, Ho Yee (Georgia Institute of Technology (Atlanta, Estats Units d'Amèrica))
De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Filler, Michael A. (Georgia Institute of Technology (Atlanta, Estats Units d'Amèrica))

Fecha:	2017
Resumen:	Axial Si/Ge heterostructure nanowires, despite their promise in applications ranging from electronics to thermal transport, remain notoriously difficult to synthesize. Here, we grow axial Si/Ge heterostructures at low temperatures using a Au catalyst with a combination of trisilane and digermane. This approach yields, as determined with detailed electron microscopy characterization, arrays of epitaxial Si/Ge nanowires with excellent morphologies and purely axial composition profiles. Our data indicate that heterostructure formation can occur via the vapor-liquid-solid or vapor-solid-solid mechanism. These findings highlight the importance of precursor chemistry in semiconductor nanowire synthesis and open the door to Si/Ge nanowires with programmable quantum domains.
Ayudas:	Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2014-59961-C2-2-R
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Composition profile ; Low temperature growth ; Low temperatures ; Nanowire heterostructures ; Precursor chemistry ; Semiconductor nanowire ; Thermal transport ; Vapor liquid solids
Publicado en:	Chemistry of materials, Vol. 29, Núm. 8 (April 2017) , p. 3397-3402, ISSN 1520-5002

DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b03952

Post-print 9 p, 7.7 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados