Low-Temperature Growth of Axial Si/Ge Nanowire Heterostructures Enabled by Trisilane
Hui, Ho Yee (Georgia Institute of Technology (Atlanta, Estats Units d'Amèrica))
De La Mata, Maria 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Filler, Michael A. (Georgia Institute of Technology (Atlanta, Estats Units d'Amèrica))
| Data: |
2017 |
| Resum: |
Axial Si/Ge heterostructure nanowires, despite their promise in applications ranging from electronics to thermal transport, remain notoriously difficult to synthesize. Here, we grow axial Si/Ge heterostructures at low temperatures using a Au catalyst with a combination of trisilane and digermane. This approach yields, as determined with detailed electron microscopy characterization, arrays of epitaxial Si/Ge nanowires with excellent morphologies and purely axial composition profiles. Our data indicate that heterostructure formation can occur via the vapor-liquid-solid or vapor-solid-solid mechanism. These findings highlight the importance of precursor chemistry in semiconductor nanowire synthesis and open the door to Si/Ge nanowires with programmable quantum domains. |
| Ajuts: |
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638
Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295
Ministerio de Economía y Competitividad MAT2014-59961-C2-2-R
|
| Drets: |
Tots els drets reservats.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Matèria: |
Composition profile ;
Low temperature growth ;
Low temperatures ;
Nanowire heterostructures ;
Precursor chemistry ;
Semiconductor nanowire ;
Thermal transport ;
Vapor liquid solids |
| Publicat a: |
Chemistry of materials, Vol. 29, Núm. 8 (April 2017) , p. 3397-3402, ISSN 1520-5002 |
DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b03952
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Ciències >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2018-07-25, darrera modificació el 2022-09-10
visitant ::
identificació
