First principles analysis of the CDW instability of single-layer 1T-TiSe2 and its evolution with charge carrier density
Guster, Bogdan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Canadell Casanova, Enric (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC))
Pruneda, Miguel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Ordejón Rontomé, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data: 2018
Resum: We present a density functional theory study of the electronic structure of single-layer TiSe, and focus on the charge density wave (CDW) instability present on this 2D material. We explain the periodicity of the CDW from the phonon band structure of the undistorted crystal, which is unstable under one of the phonon modes at the M point. This can be understood in terms of a partial band gap opening at the Fermi level, which we describe on the basis of the symmetry of the involved crystal orbitals, leading to an energy gain upon the displacement of the atoms following the phonon mode in a 2 × 1 structure. Furthermore, the combination of the corresponding phonons for the three inequivalent M points of the Brillouin zone leads to the 2 × 2 distortion characteristic of the CDW state. This leads to a further opening of a full gap, which reduces the energy of the 2 × 2 structure compared to the 2 × 1 one of a single M point phonon, and makes the CDW structure the most stable one. We also analyze the effect of charge injection into the layer on the structural instability. We predict that the 2 × 2 structure only survives for a certain range of doping levels, both for electrons and for holes, as doping reduces the energy gain due to the gap opening. We predict the transition from the commensurate 2 × 2 distortion to an incommensurate one with increasing wavelength upon increasing the doping level, followed by the appearance of the undistorted 1 × 1 structure for larger carrier concentrations.
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2017/SGR-1506
Nota: Número d'acord de subvenció EC/H2020/676598
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/FIS2015-64886-C5-3-P
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/FIS2015-64886-C5-4-P
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2015-0496
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Drets: Tots els drets reservats
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès.
Document: article ; recerca ; submittedVersion ; acceptedVersion
Matèria: charge density wave (CDW) ; Dichalcogenide ; Doping ; Phonon
Publicat a: 2D Materials, Vol. 5, Núm. 2 (March 2018) , art. 025024, ISSN 2053-1583

DOI: 10.1088/2053-1583/aab568


Pre-print
12 p, 1.3 MB

Disponible a partir de: 2019-04-01
Post-print

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2018-09-18, darrera modificació el 2018-10-17



   Favorit i Compartir