Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > 3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature > Comentaris
 
 
3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature - Li, Fan (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (University of Warwick) ; Walker, David (University of Warwick) ; Hindmarsh, Steven A. (University of Warwick) ; Jennings, Mike (University of Warwick) ; Martin, David (University of Warwick) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mawby, Phil (University of Warwick)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem