3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature

Informació:
Discussió (0)
Estadístiques d'ús

3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature - Li, Fan (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (University of Warwick) ; Walker, David (University of Warwick) ; Hindmarsh, Steven A. (University of Warwick) ; Jennings, Mike (University of Warwick) ; Martin, David (University of Warwick) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mawby, Phil (University of Warwick)

Comentaris (0) | Ressenyes (0)

Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.

Afegiu la vostra ressenya

Valoreu aquest article:

Doneu un títol a la vostra ressenya:

Escriviu la vostra ressenya:

Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.

Registres semblants