Flexoelectric MEMS : Towards an electromechanical strain diode
Bhaskar, Umesh K. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Banerjee, N. (University of Twente)
Abdollahi, Amir (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Solanas, E. (Lyncée Tec SA)
Rijnders, G. (University of Twente)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2016
Resumen:	Piezoelectricity and flexoelectricity are two independent but not incompatible forms of electromechanical response exhibited by nanoscale ferroelectrics. Here, we show that flexoelectricity can either enhance or suppress the piezoelectric response of the cantilever depending on the ferroelectric polarity and lead to a diode-like asymmetric (two-state) electromechanical response.
Ayudas:	European Commission 308023 Ministerio de Economía y Competitividad FIS2013-48668-C2-1-P
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Electromechanical response ; Electromechanical strain ; Flexoelectric ; Flexoelectricity ; Nano scale ; Piezoelectric response ; Two-state
Publicado en:	Nanoscale, Vol. 8, Issue 3 (January 2016) , p. 1293-1298, ISSN 2040-3372

DOI: 10.1039/c5nr06514c

Postprint 7 p, 2.4 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados