Flexoelectric MEMS : Towards an electromechanical strain diode
Bhaskar, Umesh K. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Banerjee, N. (University of Twente)
Abdollahi, Amir ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Solanas, E. (Lyncée Tec SA)
Rijnders, G. (University of Twente)
Catalan, Gustau ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Fecha: |
2016 |
Resumen: |
Piezoelectricity and flexoelectricity are two independent but not incompatible forms of electromechanical response exhibited by nanoscale ferroelectrics. Here, we show that flexoelectricity can either enhance or suppress the piezoelectric response of the cantilever depending on the ferroelectric polarity and lead to a diode-like asymmetric (two-state) electromechanical response. |
Ayudas: |
European Commission 308023 Ministerio de Economía y Competitividad FIS2013-48668-C2-1-P
|
Derechos: |
Tots els drets reservats. ![](/img/licenses/InC.ico) |
Lengua: |
Anglès |
Documento: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Materia: |
Electromechanical response ;
Electromechanical strain ;
Flexoelectric ;
Flexoelectricity ;
Nano scale ;
Piezoelectric response ;
Two-state |
Publicado en: |
Nanoscale, Vol. 8, Issue 3 (January 2016) , p. 1293-1298, ISSN 2040-3372 |
DOI: 10.1039/c5nr06514c
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