Flexoelectric MEMS : Towards an electromechanical strain diode
Bhaskar, Umesh K. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Banerjee, N. (University of Twente)
Abdollahi, Amir (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Solanas, E. (Lyncée Tec SA)
Rijnders, G. (University of Twente)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data:	2016
Resum:	Piezoelectricity and flexoelectricity are two independent but not incompatible forms of electromechanical response exhibited by nanoscale ferroelectrics. Here, we show that flexoelectricity can either enhance or suppress the piezoelectric response of the cantilever depending on the ferroelectric polarity and lead to a diode-like asymmetric (two-state) electromechanical response.
Ajuts:	European Commission 308023 Ministerio de Economía y Competitividad FIS2013-48668-C2-1-P
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	Electromechanical response ; Electromechanical strain ; Flexoelectric ; Flexoelectricity ; Nano scale ; Piezoelectric response ; Two-state
Publicat a:	Nanoscale, Vol. 8, Issue 3 (January 2016) , p. 1293-1298, ISSN 2040-3372

DOI: 10.1039/c5nr06514c

Postprint 7 p, 2.4 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats