Thermoelectric microsensor based on ultrathin Si films
Gonçalves Dalkiranis Pereira, Gustavo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Ferrando-Villalba, Pablo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Abad, Llibertat (Centro Nacional de Microelectrónica)
Rodríguez-Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)

Data:	2018
Resum:	We show the use as a thermal photosensor of a thermoelectric (TE) microsensor based on ultrathin suspended Si films. The reduced thickness of the structural films enhances the extremely large thermal insulation of the sensing area (~43 µW/K), since phonons scatter in the surfaces, and guarantees a reduced thermal mass (in the µJ/K range). The sensitivity of the device is evaluated by heating with an argon laser (λ = 457 nm) in the range 0-10 mW, reaching sensitivities of around 6 × 108 V/(W·m2) in high vacuum conditions and 5 × 107 V/(W·m2) in environments of air at atmospheric pressure. Open circuit voltage measurements with and without light illumination with a 406 nm diode laser operating at 4 mW were conducted at temperature differences up to 50 K between the central hot region and the Si frame. The slight decrease of the Seebeck coefficient is related to the increase of carriers by photogeneration.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Photosensor ; Thermoelectric effect and microsensor
Publicat a:	Proceedings, Vol. 2 (2018) , p. 1-4, ISSN 2504-3900

DOI: 10.3390/proceedings2131517

4 p, 583.9 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats