Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Heteroepitaxial Beta-Ga2O3 on 4H-SiC for an FET with reduced self heating > Comentaris
 
 
Heteroepitaxial Beta-Ga2O3 on 4H-SiC for an FET with reduced self heating - Russell, Stephen (University of Warwick. School of Engineering) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; McConville, Christopher F. (RMIT University. College of Science, Engineering and Health) ; Fisher, Craig (University of Warwick. School of Engineering) ; Hamilton, Dean P. (University of Warwick. School of Engineering) ; Mawby, Philip A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, Mike (University of Warwick. School of Engineering)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem